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| 【電機】三菱電機全球首次采用了基于SiC功率半導體逆變器模塊 |
| （時間:2010-8-27 10:10:20） |
三菱電機宣布，該公司于2010年8月24日發(fā)布的、預定于2010年10月下旬上市的10款空調(diào)產(chǎn)品中的兩款“全球首次采用了基于SiC功率半導體的逆變器模塊”。由此三菱電機部分提前了預定在2011年度開始的SiC功率半導體的量產(chǎn)時間。
配備SiC逆變器模塊的產(chǎn)品為三菱室內(nèi)空調(diào)“霧峰MoveEye”，包括制冷時額定輸出功率為2.8kW的“MSZ-ZW281S”，以及制冷時額定輸出功率為3.6kW的“MSZ-ZW361S”兩款機型。均可用于驅(qū)動空調(diào)壓縮機。配備機型的量產(chǎn)數(shù)量尚未公布，不過已經(jīng)得知額定輸出功率從2.2kW到7.1kW的整個ZW系列預定月產(chǎn)2萬臺。據(jù)該公司介紹，因采用該逆變器而帶來的成本上升部分“由公司承擔，不會轉(zhuǎn)嫁到產(chǎn)品中”。今后，將在上市的空調(diào)產(chǎn)品中陸續(xù)配備SiC逆變器模塊。
首先用于二極管
不過，此次在逆變器模塊中，采用SiC制造的只有肖特基勢壘二極管(SBD)。與SBD成對使用的晶體管仍是IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor，絕緣柵雙極晶體管)。三菱電機表示，“此次SiC制SBD的作用是‘突擊隊長’。從能夠首先應用的產(chǎn)品開始點燃實用化的烽火，從而帶動整個業(yè)界”。
三菱電機表示，與所有硅基產(chǎn)品相比，該逆變器模塊的開關損耗小約60%。在MSZ-ZW361S中“與采用原逆變器時相比，將耗電量降低約2%”(該公司)。該產(chǎn)品的“周期耗電量”*為1110kWh，因此大概可以將耗電量降低20kWh以上。
三菱電機計劃在不久的將來把IGBT全部換成SiCMOSFET，而且不僅是逆變器，還將在底板上的轉(zhuǎn)換器中采用SiC功率半導體。據(jù)該公司介紹，“如果這些產(chǎn)品全部采用SiC的話，底板的功率模塊部分將減至目前的1/2大小”。
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