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| 樂山助推半導體及太陽能光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展 |
| （時間:2020-5-13 10:55:02） |
近日，從樂山市產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗所獲悉，根據(jù)《國家標準化管理委員會關于下達2020年推薦性標準計劃(修訂)的通知》，該所被正式確定為國家行業(yè)標準《硅單晶中III、V族雜質(zhì)含量的測定低溫傅立葉變換紅外光法》的主修訂單位。
多晶硅中的III、V族雜質(zhì)含量(施主雜質(zhì)含量、受主雜質(zhì)含量)是影響多晶硅產(chǎn)品質(zhì)量的重要技術指標，目前一般通過氣氛區(qū)熔工藝將多晶硅拉制成單晶，再采用低溫傅立葉變換紅外光譜法(LTFT-IR)測定III、V族雜質(zhì)含量。為確保硅晶體中的III、V族雜質(zhì)含量的測量準確性，原有標準GB/T 24581-2009已經(jīng)不能充分適應目前半導體及太陽能光伏產(chǎn)業(yè)的需要，有必要對原標準進行修訂。
市質(zhì)檢所作為全國半導體設備和材料標準化技術委員會和材料分技術委員會成員單位，長期以來高度重視標準化工作，主持和參與多項硅材料相關國家標準的研究。據(jù)悉，本次標準修訂將結(jié)合標準的實際使用情況對原標準的技術內(nèi)容進行適當修改，同時增加多個實驗室的測量精密度，使GB/T 24581更為完善，從而更好地滿足半導體及太陽能光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展的需要，助推我市加速壯大光伏產(chǎn)業(yè)集群、打造千億“綠色硅谷”。
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